YANGJIE DGW100N65CTS1D

YANGJIE DGW100N65CTS1D

Артикул: C20600417 Part Number: DGW100N65CTS1D Производитель: YANGJIE
от 3.162200 ₽ Под заказ
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 8.340200 ₽
195 шт. 3.328800 ₽
495 шт. 3.216800 ₽
1005 шт. 3.162200 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип IGBT -
Рассеиваемая мощность (Pd) 428W
Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) 650V
Ток коллектора (Ic) 100A
Ток отсечки коллектора (Ices) -
Рабочая температура -40℃~+175℃
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) 1.35V
Заряд затвора (Qg) 340nC@300V
Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) 3.75V
Входная ёмкость (Cies) 4.96nF
Выходная ёмкость (Coes) -
Проходная ёмкость (Cres) 50pF
Время задержки включения Td(on) 19ns
Время задержки выключения Td(off) 204ns
Энергия потерь при включении (Eon) 4mJ
Энергия потерь при выключении (Eoff) 1.1mJ
Время обратного восстановления (trr) 116ns

Описание

428W 100A 650V TO-247 одиночные IGBT-транзисторы RoHS