YANGJIE DGS80N120ATL1BQ
Артикул: C20600415
Part Number: DGS80N120ATL1BQ
Производитель: YANGJIE
от 5.500600 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 14.508600 ₽ |
| 200 шт. | 5.789800 ₽ |
| 500 шт. | 5.596000 ₽ |
| 1000 шт. | 5.500600 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 735W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 1.2kV |
| Ток коллектора (Ic) | 80A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -40℃~+150℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.75V |
| Заряд затвора (Qg) | 650nC@15V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 6V |
| Входная ёмкость (Cies) | 7.94nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | - |
| Проходная ёмкость (Cres) | 190pF |
| Время задержки включения Td(on) | 33ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 231ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 7.5mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 4.6mJ |
| Время обратного восстановления (trr) | - |
Описание
735W 80A 1.2kV STO220 одиночные IGBT-транзисторы