YANGJIE DGQ75N120CTH1B

YANGJIE DGQ75N120CTH1B

Артикул: C20600410 Part Number: DGQ75N120CTH1B Производитель: YANGJIE
от 5.605100 ₽ Под заказ
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 14.784200 ₽
195 шт. 5.898900 ₽
495 шт. 5.702000 ₽
1005 шт. 5.605100 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип IGBT -
Рассеиваемая мощность (Pd) 600W
Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) 1.2kV
Ток коллектора (Ic) 75A
Ток отсечки коллектора (Ices) -
Рабочая температура -40℃~+175℃
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) 2.1V
Заряд затвора (Qg) 650nC@960V
Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) 5.8V
Входная ёмкость (Cies) 8.43nF
Выходная ёмкость (Coes) -
Проходная ёмкость (Cres) 190pF
Время задержки включения Td(on) 30ns
Время задержки выключения Td(off) 227ns
Энергия потерь при включении (Eon) 8.5mJ
Энергия потерь при выключении (Eoff) 2.2mJ
Время обратного восстановления (trr) 189ns

Описание

600W 75A 1.2kV TO247plus одиночные IGBT-транзисторы