VISHAY SISS5110DN-T1-GE3
Артикул: C20346157
Part Number: SISS5110DN-T1-GE3
Производитель: VISHAY
от 1.483300 ₽
В наличии: 8 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 1.538600 ₽ |
| 10 шт. | 1.515800 ₽ |
| 30 шт. | 1.499600 ₽ |
| 100 шт. | 1.483300 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 100V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 46.4A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 56.8W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 4V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 16mΩ@7.5V |
| Заряд затвора (Qg) | 20nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 920pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 8.2pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 370pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
56.8W 100V 46.4A 4V 16mΩ@7.5V 1 N-канальный N-канальный PowerPAK1212-8S одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS