VISHAY SIS112LDN-T1-GE3
Артикул: C20346148
Part Number: SIS112LDN-T1-GE3
Производитель: VISHAY
от 0.295300 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.776200 ₽ |
| 200 шт. | 0.311200 ₽ |
| 500 шт. | 0.300000 ₽ |
| 1000 шт. | 0.295300 ₽ |
Характеристики
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 100V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 8.8A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 19.8W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 2.5V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 135mΩ@4.5V |
| Заряд затвора (Qg) | 11.8nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 355pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 5pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 30pF |
Описание
100V 8.8A 2.5V 19.8W 135mΩ@4.5V N-канальный PowerPAK1212-8 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS