VISHAY SIHB6N80AE-GE3
Артикул: C20346113
Part Number: SIHB6N80AE-GE3
Производитель: VISHAY
от 3.002400 ₽
В наличии: 20 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 3.098200 ₽ |
| 10 шт. | 3.057600 ₽ |
| 50 шт. | 3.030000 ₽ |
| 100 шт. | 3.002400 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 800V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 5A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 62.5W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 2V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 826mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 15nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 422pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 4pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 24pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±30V |
Описание
62.5W 800V 5A 2V 826mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный D2PAK(TO-263) одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS