VISHAY SI4190BDY-T1-GE3
Артикул: C20346099
Part Number: SI4190BDY-T1-GE3
Производитель: VISHAY
от 2.407700 ₽
В наличии: 30 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 2.484100 ₽ |
| 10 шт. | 2.451600 ₽ |
| 30 шт. | 2.430500 ₽ |
| 100 шт. | 2.407700 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 100V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 17A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 8.4W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 2.5V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 10.3mΩ@4.5V |
| Заряд затвора (Qg) | 95nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 4.15nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 14pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 235pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
8.4W 100V 17A 2.5V 10.3mΩ@4.5V 1 N-канальный N-канальный SOIC-8 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS