TI JFE150DBVT
Артикул: C20345476
Part Number: JFE150DBVT
Производитель: TI
от 1.408000 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 3.712100 ₽ |
| 250 шт. | 1.480900 ₽ |
| 500 шт. | 1.432300 ₽ |
| 1000 шт. | 1.408000 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Напряжение отсечки затвор–исток (VGS(off)) | 1.2V |
| Напряжение пробоя затвор–исток (Vgss) | 40V |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | - |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | - |
| Рабочая температура | -40℃~+125℃ |
| Ток стока (Idss) | 57mA |
| Входная ёмкость Ciss | 24pF |
| Проходная ёмкость (Crss) | 7pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 8pF |
| Конфигурация | - |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
Описание
57mA 1 N-канальный 40V SOT-23-5 полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом (JFET) RoHS