650V, 60A AlphaIGBT с мягкий и быстрый восстановление анти-параллельный диод
Артикул: C20266232
Part Number: AOK60B65H2AL
Производитель: AOS
от 1.641500 ₽
В наличии: 2 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 2.892800 ₽ |
| 10 шт. | 2.425100 ₽ |
| 30 шт. | 2.133300 ₽ |
| 90 шт. | 1.835000 ₽ |
| 510 шт. | 1.699600 ₽ |
| 990 шт. | 1.641500 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 416W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 650V |
| Ток коллектора (Ic) | 60A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 2.5V@60A,15V |
| Заряд затвора (Qg) | 84nC@15V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 4.6V@1mA |
| Входная ёмкость (Cies) | 2.1nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 185pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 65pF |
| Время задержки включения Td(on) | 35ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 168ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 2.36mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 1.17mJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 318ns |
Описание
416W 60A 650V TO-247 одиночные IGBT-транзисторы RoHS