AOS AOB30B65LN2V

AOS AOB30B65LN2V

Артикул: C20266184 Part Number: AOB30B65LN2V Производитель: AOS
от 0.566200 ₽ Под заказ
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 1.493400 ₽
200 шт. 0.597100 ₽
500 шт. 0.577000 ₽
800 шт. 0.566200 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип IGBT -
Рассеиваемая мощность (Pd) 227W
Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) 650V
Ток коллектора (Ic) 30A
Ток отсечки коллектора (Ices) -
Рабочая температура -55℃~+175℃
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) 1.86V
Заряд затвора (Qg) 52nC
Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) 4.7V
Входная ёмкость (Cies) 1.246nF
Выходная ёмкость (Coes) 92pF
Проходная ёмкость (Cres) 38pF
Время задержки включения Td(on) 23ns
Время задержки выключения Td(off) 109ns
Энергия потерь при включении (Eon) 880uJ
Энергия потерь при выключении (Eoff) 350uJ
Время обратного восстановления (trr) 312ns

Описание

227W 30A 650V TO-263(D2PAK) одиночные IGBT-транзисторы RoHS