100V, 3.2mOhm галлий нитрид (GaN) FET in a 3.5 mm x 2.13 mm Wafer уровень В корпусе размером с кристалл корпус
Артикул: C20235672
Part Number: GAN3R2-100CBEAZ
Производитель: Nexperia
от 2.832500 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 4.512300 ₽ |
| 10 шт. | 3.866100 ₽ |
| 30 шт. | 3.481900 ₽ |
| 100 шт. | 3.092900 ₽ |
| 500 шт. | 2.913500 ₽ |
| 1500 шт. | 2.832500 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 100V |
| Технология | E-mode |
| Непрерывный ток стока (Id) | 60A |
| Рабочая температура | -40℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 394W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1.1V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 2.4mΩ |
| Заряд затвора (Qg) | 9.2nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1000pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 8.2pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 460pF |
Описание
100V 60A 1.1V 394W 2.4mΩ 1 N-канальный N-канальный WLCSP-8(3.5x2.1) одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS