650V, 190mOhm галлий нитрид (GaN) FET in a DFN 8 mm x 8 mm корпус
Артикул: C20235670
Part Number: GAN190-650EBEZ
Производитель: Nexperia
от 6.435600 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 6.659100 ₽ |
| 10 шт. | 6.562900 ₽ |
| 30 шт. | 6.499200 ₽ |
| 100 шт. | 6.435600 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 650V |
| Технология | E-mode |
| Непрерывный ток стока (Id) | 11.5A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 125W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1.7V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 138mΩ |
| Заряд затвора (Qg) | 2.8nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 96pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 0.5pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 30pF |
Описание
650V 11.5A 1.7V 125W 138mΩ 1 N-канальный N-канальный DFN8080-8 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS