Infineon IQE050N08NM5CGSCATMA1
Артикул: C20191656
Part Number: IQE050N08NM5CGSCATMA1
Производитель: Infineon
от 3.489700 ₽
В наличии: 2 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 3.627800 ₽ |
| 10 шт. | 3.567700 ₽ |
| 30 шт. | 3.528700 ₽ |
| 100 шт. | 3.489700 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 80V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 99A |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 100W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 3.8V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 5mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 44nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 2.9nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 37pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 480pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
80V 99A 3.8V 100W 5mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный PG-WHTFN-9 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS