Infineon IQE022N06LM5ATMA1
Артикул: C20191647
Part Number: IQE022N06LM5ATMA1
Производитель: Infineon
от 1.975200 ₽
В наличии: 2 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 3.237600 ₽ |
| 10 шт. | 2.767300 ₽ |
| 30 шт. | 2.473100 ₽ |
| 100 шт. | 2.170800 ₽ |
| 500 шт. | 2.035100 ₽ |
| 1000 шт. | 1.975200 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 60V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 151A |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 100W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 2.3V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 2.2mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 33nC@4.5V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 4.42nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 63pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 936pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
60V 151A 2.3V 100W 2.2mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный PG-TSON-8(3.3x3.3) одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS