Infineon IQD020N10NM5CGATMA1
Артикул: C20191639
Part Number: IQD020N10NM5CGATMA1
Производитель: Infineon
от 5.161500 ₽
В наличии: 15 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 5.369400 ₽ |
| 10 шт. | 5.280100 ₽ |
| 30 шт. | 5.221600 ₽ |
| 100 шт. | 5.161500 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 100V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 273A |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 333W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 3.8V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 2.75mΩ@6V |
| Заряд затвора (Qg) | 134nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 9.5nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 74pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 1.3nF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
100V 273A 3.8V 333W 2.75mΩ@6V 1 N-канальный N-канальный PG-TTFN-9 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS