Infineon IPD052N10NF2SATMA1
Артикул: C20191575
Part Number: IPD052N10NF2SATMA1
Производитель: Infineon
от 1.130900 ₽
В наличии: 25 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 1.925800 ₽ |
| 10 шт. | 1.629200 ₽ |
| 30 шт. | 1.444000 ₽ |
| 100 шт. | 1.253900 ₽ |
| 500 шт. | 1.168600 ₽ |
| 1000 шт. | 1.130900 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 100V |
| Конфигурация | Standalone |
| Непрерывный ток стока (Id) | 118A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 150W |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 3.8V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 5.2mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 76nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 3.6nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 25pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 570pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
150W 100V 118A 3.8V 5.2mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный TO-252-3 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS