2000V SiC траншейный MOSFET
Артикул: C20191548
Part Number: IMYH200R100M1HXKSA1
Производитель: Infineon
от 15.460600 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 16.021000 ₽ |
| 10 шт. | 15.460600 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 2kV |
| Непрерывный ток стока (Id) | 26A |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 217W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 5.5V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 131mΩ |
| Заряд затвора (Qg) | 55nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1.215nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 3pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 40pF |
Описание
2kV 26A 5.5V 217W 131mΩ 1 N-канальный N-канальный TO-247-4 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS