Infineon IMYH200R012M1HXKSA1
Артикул: C20191544
Part Number: IMYH200R012M1HXKSA1
Производитель: Infineon
от 66.867200 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 176.389400 ₽ |
| 240 шт. | 70.380600 ₽ |
| 480 шт. | 68.029700 ₽ |
| 960 шт. | 66.867200 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 2kV |
| Конфигурация | Standalone |
| Непрерывный ток стока (Id) | 123A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 552W |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 5.5V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 16.5mΩ@18V |
| Заряд затвора (Qg) | 246nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 9.7nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 22pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 322pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | -7V;20V |
Описание
552W 2kV 123A 5.5V 16.5mΩ@18V 1 N-канальный N-канальный PG-TO-247-4 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS