650 V CoolSiC M1 SiC траншейный мощность устройство
Артикул: C20191541
Part Number: IMT65R039M1HXUMA1
Производитель: Infineon
от 7.849900 ₽
В наличии: 20 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 8.346500 ₽ |
| 10 шт. | 8.133400 ₽ |
| 30 шт. | 7.992500 ₽ |
| 100 шт. | 7.849900 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 650V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 61A |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 263W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 5.7V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 51mΩ |
| Заряд затвора (Qg) | 41nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1.393nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 15pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 208pF |
Описание
650V 61A 5.7V 263W 51mΩ 1 N-канальный N-канальный HSOF-8-1 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS