650 V CoolSiC M1 SiC траншейный мощность устройство
Артикул: C20191540
Part Number: IMT65R030M1HXUMA1
Производитель: Infineon
от 6.764100 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 7.201200 ₽ |
| 10 шт. | 7.014300 ₽ |
| 30 шт. | 6.889200 ₽ |
| 100 шт. | 6.764100 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 650V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 71A |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 294W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 5.7V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 42mΩ |
| Заряд затвора (Qg) | 49nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1.643nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 18pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 246pF |
Описание
650V 71A 5.7V 294W 42mΩ 1 N-канальный N-канальный HSOF-8-1 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS