Infineon IKZA40N65EH7XKSA1
Артикул: C20191534
Part Number: IKZA40N65EH7XKSA1
Производитель: Infineon
от 4.095600 ₽
В наличии: 20 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 4.346200 ₽ |
| 10 шт. | 4.238800 ₽ |
| 30 шт. | 4.167200 ₽ |
| 100 шт. | 4.095600 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 210W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 650V |
| Ток коллектора (Ic) | 80A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | 10uA |
| Рабочая температура | -40℃~+175℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.4V |
| Заряд затвора (Qg) | 81nC@15V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 3.85V |
| Входная ёмкость (Cies) | 2.026nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 71.4pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 9.1pF |
| Время задержки включения Td(on) | 13ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 134ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 370uJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 360uJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 49.6ns |
Описание
210W 80A 650V PG-TO247-4-STD-NT3.7 одиночные IGBT-транзисторы RoHS