Высокоскоростной и низкий насыщение напряжение 650 V TRENCHSTOP IGBT7 technology
Артикул: C20191524
Part Number: IKWH75N65EH7XKSA1
Производитель: Infineon
от 5.117900 ₽
В наличии: 30 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 7.501100 ₽ |
| 10 шт. | 6.377700 ₽ |
| 30 шт. | 5.691100 ₽ |
| 100 шт. | 5.117900 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 341W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 650V |
| Ток коллектора (Ic) | 80A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -40℃~+175℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.65V@75A,15V |
| Заряд затвора (Qg) | 150nC |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 2.9V@0.66mA |
| Входная ёмкость (Cies) | 3.884nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 124pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 16.8pF |
| Время задержки включения Td(on) | 25ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 195ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 2.42mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 1.4mJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 89ns |
Описание
341W 80A 650V TO-247-3 одиночные IGBT-транзисторы RoHS