Высокоскоростной 1200 V TRENCHSTOP IGBT 7 Technology
Артикул: C20191014
Part Number: IKQ75N120CH7XKSA1
Производитель: Infineon
от 9.890800 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 9.890800 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 549W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 1.2kV |
| Ток коллектора (Ic) | 82A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -40℃~+175℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 2.15V@75A,15V |
| Заряд затвора (Qg) | 518nC@15V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 4.7V@1.2mA |
| Входная ёмкость (Cies) | 9.6nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 184pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 54pF |
| Время задержки включения Td(on) | 56ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 470ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 5.28mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 1.76mJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 149ns |
Описание
549W 82A 1.2kV TO-247-3 одиночные IGBT-транзисторы RoHS