Infineon IHW30N110R5XKSA1
Артикул: C20191004
Part Number: IHW30N110R5XKSA1
Производитель: Infineon
от 1.463300 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 3.858800 ₽ |
| 210 шт. | 1.540700 ₽ |
| 510 шт. | 1.488600 ₽ |
| 990 шт. | 1.463300 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 330W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 1.1kV |
| Ток коллектора (Ic) | 30A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -40℃~+175℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.55V |
| Заряд затвора (Qg) | 240nC |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 5.8V |
| Входная ёмкость (Cies) | 1.8nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 55pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 45pF |
| Время задержки включения Td(on) | - |
| Время задержки выключения Td(off) | 350ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | - |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 1.2mJ |
| Время обратного восстановления (trr) | - |
Описание
330W 30A 1.1kV TO-247-3 одиночные IGBT-транзисторы RoHS