Infineon IGT60R042D1ATMA1
Артикул: C20191001
Part Number: IGT60R042D1ATMA1
Производитель: Infineon
от 13.107600 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 34.573300 ₽ |
| 200 шт. | 13.795600 ₽ |
| 500 шт. | 13.335400 ₽ |
| 1000 шт. | 13.107600 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 800V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 23A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 205W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1.2V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 33mΩ |
| Заряд затвора (Qg) | 8.8nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 649pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 1.35pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 97pF |
Описание
800V 23A 1.2V 205W 33mΩ 1 N-канальный N-канальный HSOF-8-3 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS