Infineon IGQ75N120S7XKSA1
Артикул: C20191000
Part Number: IGQ75N120S7XKSA1
Производитель: Infineon
от 4.199400 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 11.077000 ₽ |
| 210 шт. | 4.420800 ₽ |
| 510 шт. | 4.272100 ₽ |
| 990 шт. | 4.199400 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 630W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 1.2kV |
| Ток коллектора (Ic) | 154A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -40℃~+175℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 2V |
| Заряд затвора (Qg) | 450nC |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 5.7V |
| Входная ёмкость (Cies) | 11.2nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 210pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 50pF |
| Время задержки включения Td(on) | 38ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 190ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 5.13mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 3.48mJ |
| Время обратного восстановления (trr) | - |
Описание
630W 154A 1.2kV одиночные IGBT-транзисторы RoHS