Infineon IGQ100N120S7XKSA1
Артикул: C20190998
Part Number: IGQ100N120S7XKSA1
Производитель: Infineon
от 5.054400 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 13.330200 ₽ |
| 210 шт. | 5.319500 ₽ |
| 510 шт. | 5.141700 ₽ |
| 990 шт. | 5.054400 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 824W;412W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 1.2kV |
| Ток коллектора (Ic) | 188A;126A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -40℃~+175℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.65V;2V |
| Заряд затвора (Qg) | 610nC |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 5.1V;6.5V |
| Входная ёмкость (Cies) | 14.5nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 270pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 60pF |
| Время задержки включения Td(on) | 38ns;39ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 200ns;270ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 6.87mJ;10.1mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 4.71mJ;8.84mJ |
| Время обратного восстановления (trr) | - |
Описание
1.2kV одиночные IGBT-транзисторы RoHS