Infineon FF6MR12W2M1HPB11BPSA1
Артикул: C20190942
Part Number: FF6MR12W2M1HPB11BPSA1
Производитель: Infineon
от 142.365000 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 375.548300 ₽ |
| 198 шт. | 149.847100 ₽ |
| 504 шт. | 144.839500 ₽ |
| 1008 шт. | 142.365000 ₽ |
Характеристики
| Тип | N-Channel |
| Количество | 2 N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 1.2kV |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 200A |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 8.25mΩ@15V |
| Рабочая температура | -40℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | - |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 5.55V |
| Заряд затвора (Qg) | 446nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 14.7nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 112pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 880pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | - |
Описание
1.2kV 200A 8.25mΩ@15V 5.55V 2 N-канальный сборки полевых транзисторов (FET, MOSFET) RoHS