Infineon F3L225R12W3H3B11BPSA1
Артикул: C20190901
Part Number: F3L225R12W3H3B11BPSA1
Производитель: Infineon
от 108.600000 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 286.476000 ₽ |
| 200 шт. | 114.306000 ₽ |
| 496 шт. | 110.486700 ₽ |
| 1000 шт. | 108.600000 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | IGBT Module |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | - |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 1.2kV |
| Ток коллектора (Ic) | 225A |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 2.07V;2.5V;2.6V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 5.8V |
| Заряд затвора (Qg) | 1.73uC@15V |
| Входная ёмкость (Cies) | 13.1nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | - |
| Проходная ёмкость (Cres) | 720pF |
| Рабочая температура | -40℃~+150℃ |
| Время задержки включения Td(on) | 107ns;115ns;118ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 300ns;329ns;346ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 11.8mJ;20.7mJ;23.4mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 8.67mJ;15.9mJ;17.8mJ |
| Время обратного восстановления (trr) | - |
Описание
225A 1.2kV IGBT модуль модули IGBT