Infineon F3L11MR12W2M1HB19BPSA1
Артикул: C20190900
Part Number: F3L11MR12W2M1HB19BPSA1
Производитель: Infineon
от 118.517100 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 312.637200 ₽ |
| 195 шт. | 124.744600 ₽ |
| 495 шт. | 120.576100 ₽ |
| 1005 шт. | 118.517100 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | - |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 1.2kV |
| Ток коллектора (Ic) | 60A |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.5V;1.64V;1.72V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | - |
| Заряд затвора (Qg) | 1.8uC@600V |
| Входная ёмкость (Cies) | 21.7nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | - |
| Проходная ёмкость (Cres) | 76pF |
| Рабочая температура | -40℃~+175℃ |
| Время задержки включения Td(on) | 153ns;166ns;174ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 283ns;368ns;421ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 6.75mJ;9.8mJ;11.5mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 6.6mJ;10.2mJ;12.7mJ |
| Время обратного восстановления (trr) | - |
Описание
60A 1.2kV модули IGBT RoHS