1200 V SiC траншейный MOSFET
Артикул: C20189644
Part Number: AIMBG120R010M1XTMA1
Производитель: Infineon
от 46.080000 ₽
В наличии: 5 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 47.687700 ₽ |
| 10 шт. | 46.080000 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 1.2kV |
| Непрерывный ток стока (Id) | 205A |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 882W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 5.1V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 11.3mΩ |
| Заряд затвора (Qg) | 178nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 5.703nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 16pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 268pF |
Описание
1.2kV 205A 5.1V 882W 11.3mΩ 1 N-канальный N-канальный TO-263-7-12 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS