N-канальный, ограничение поля Vll (FS7), 1200V IGBT
Артикул: C20047184
Part Number: FGY75T120SWD
Производитель: onsemi
от 6.401100 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 8.262900 ₽ |
| 10 шт. | 7.385600 ₽ |
| 30 шт. | 6.849500 ₽ |
| 90 шт. | 6.401100 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | FS (Field Stop) |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 714W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 1.2kV |
| Ток коллектора (Ic) | 150A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 2V@75A,15V |
| Заряд затвора (Qg) | 214nC@15V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 5.6V@75mA |
| Входная ёмкость (Cies) | 6.331nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 234pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 29.6pF |
| Время задержки включения Td(on) | 42ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 171ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 5mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 2.32mJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 204ns |
Описание
714W 150A 1.2kV FS (ограничение поля) TO-247-3 одиночные IGBT-транзисторы RoHS