N-канальный, ограничение поля Vll (FS7) IGBT

N-канальный, ограничение поля Vll (FS7) IGBT

Артикул: C20047183 Part Number: FGY100T120RWD Производитель: onsemi
от 13.622500 ₽ Под заказ
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 16.057800 ₽
10 шт. 15.484300 ₽
30 шт. 14.490100 ₽
90 шт. 13.622500 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип IGBT FS (Field Stop)
Рассеиваемая мощность (Pd) 1.071kW
Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) 1.2kV
Ток коллектора (Ic) 200A
Ток отсечки коллектора (Ices) -
Рабочая температура -55℃~+175℃
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) 1.75V@100A,15V
Заряд затвора (Qg) 427nC@15V
Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) 4.9V@100mA
Входная ёмкость (Cies) 12.2nF
Выходная ёмкость (Coes) 392pF
Проходная ёмкость (Cres) 44.2pF
Время задержки включения Td(on) 80ns
Время задержки выключения Td(off) 364ns
Энергия потерь при включении (Eon) 8.13mJ
Энергия потерь при выключении (Eoff) 7.05mJ
Время обратного восстановления (trr) 256ns

Описание

1.071kW 200A 1.2kV FS (ограничение поля) TO-247-3 одиночные IGBT-транзисторы RoHS