MCC UMD3N-TP
Артикул: C19996702
Part Number: UMD3N-TP
Производитель: MCC
от 0.266100 ₽
В наличии: 2525 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.430000 ₽ |
| 50 шт. | 0.360100 ₽ |
| 150 шт. | 0.330100 ₽ |
| 500 шт. | 0.292700 ₽ |
| 3000 шт. | 0.276100 ₽ |
| 6000 шт. | 0.266100 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP Pre-Biased |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 50V |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 150mW |
| Тип | NPN+PNP |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 30 |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | - |
| Рабочая температура | - |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | 3V@10mA,0.3V |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | - |
| Выходное напряжение (VO(on)) | 300mV@10mA,0.5mA |
| Входной резистор | 10kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | 1 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | - |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | 250MHz |
| Ток отсечки коллектора | - |
Описание
30 150mW 100mA 50V 1 NPN со встроенными резисторами смещения, 1 PNP со встроенными резисторами смещения SOT-363 сборки биполярных транзисторов со встроенными резисторами смещения