MCC UMD2N-TP
Артикул: C19996701
Part Number: UMD2N-TP
Производитель: MCC
от 0.083700 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.160500 ₽ |
| 10 шт. | 0.127800 ₽ |
| 30 шт. | 0.113700 ₽ |
| 100 шт. | 0.096200 ₽ |
| 500 шт. | 0.088400 ₽ |
| 1000 шт. | 0.083700 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP Pre-Biased |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | - |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 150mW |
| Тип | NPN+PNP |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 56 |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | - |
| Рабочая температура | - |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | 3V@5mA,0.2V |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | 500mV@100uA,5V |
| Выходное напряжение (VO(on)) | 300mV@10mA,0.5mA |
| Входной резистор | 22kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | 1 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | - |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | 250MHz |
| Ток отсечки коллектора | - |
Описание
56 150mW 100mA 1 NPN со встроенными резисторами смещения, 1 PNP со встроенными резисторами смещения SOT-363 сборки биполярных транзисторов со встроенными резисторами смещения