DIODES DXTN3C100PDQ-13

DIODES DXTN3C100PDQ-13

Артикул: C19950079 Part Number: DXTN3C100PDQ-13 Производитель: DIODES
от 0.278000 ₽ Под заказ
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 0.730600 ₽
200 шт. 0.291700 ₽
500 шт. 0.282600 ₽
1000 шт. 0.278000 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип NPN
Напряжение коллектор–эмиттер VCEO 100V
Ток коллектора (Ic) 3A
Рассеиваемая мощность (Pd) 1.47W
Коэффициент усиления по постоянному току -
Рабочая температура -55℃~+150℃
Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) 130MHz
Ток отсечки коллектора 100nA
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) 330mV
Напряжение эмиттер–база VEBO 7V
Количество 1 NPN
Конфигурация Standalone

Описание

100V 1.47W NPN 3A PowerDI5060-8(TYPEUxD) сборки биполярных транзисторов RoHS