DIODES DMT35M8LDG-13
Артикул: C19949991
Part Number: DMT35M8LDG-13
Производитель: DIODES
от 0.388900 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 1.023800 ₽ |
| 200 шт. | 0.409600 ₽ |
| 500 шт. | 0.395300 ₽ |
| 1000 шт. | 0.388900 ₽ |
Характеристики
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 30V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 17A |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 5.7mΩ@4.5V |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 2W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1.9V |
| Заряд затвора (Qg) | 22.7nC@10V |
Описание
30V 17A 5.7mΩ@4.5V 2W 1.9V сборки полевых транзисторов (FET, MOSFET) RoHS