DIODES DMT10H010LSSQ-13
Артикул: C19949979
Part Number: DMT10H010LSSQ-13
Производитель: DIODES
от 0.662300 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 1.745200 ₽ |
| 200 шт. | 0.697200 ₽ |
| 500 шт. | 0.674400 ₽ |
| 1000 шт. | 0.662300 ₽ |
Характеристики
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 100V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 12A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 2.7W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 2.8V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 14.5mΩ@4.5V |
| Заряд затвора (Qg) | 58.4nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 4.166nF |
Описание
100V 12A 2.8V 2.7W 14.5mΩ@4.5V N-канальный SO-8 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS