DIODES DMN2009UFDF-7
Артикул: C19949309
Part Number: DMN2009UFDF-7
Производитель: DIODES
от 0.141700 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.373800 ₽ |
| 200 шт. | 0.149200 ₽ |
| 500 шт. | 0.144200 ₽ |
| 1000 шт. | 0.141700 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 20V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 12.8A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 1.7W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1.4V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 7mΩ@4.5V |
| Заряд затвора (Qg) | 12.7nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1.083nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 110pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 165pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±12V |
Описание
20V 12.8A 1.4V 1.7W 7mΩ@4.5V 1 N-канальный N-канальный UDFN2020-6 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS