DIODES DMN1019USNQ-7
Артикул: C19949297
Part Number: DMN1019USNQ-7
Производитель: DIODES
от 0.424800 ₽
В наличии: 100 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.452700 ₽ |
| 10 шт. | 0.441200 ₽ |
| 30 шт. | 0.433000 ₽ |
| 100 шт. | 0.424800 ₽ |
Характеристики
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 12V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 9.3A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 1.2W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 800mV |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 41mΩ@1.2V |
| Заряд затвора (Qg) | 50.6nC@8V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 2.426nF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 396pF |
Описание
12V 9.3A 800mV 1.2W 41mΩ@1.2V N-канальный SC-59-3 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS