Taiwan Semiconductor TSG65N190CR RVG
Артикул: C19856000
Part Number: TSG65N190CR RVG
Производитель: Taiwan Semiconductor
от 1.690500 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 4.458700 ₽ |
| 200 шт. | 1.779400 ₽ |
| 500 шт. | 1.720600 ₽ |
| 1000 шт. | 1.690500 ₽ |
Характеристики
| Тип | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 11A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | - |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 2.6V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 190mΩ@6V |
| Заряд затвора (Qg) | 2.2nC@6V |
| Входная ёмкость (Ciss) | - |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | - |
| Выходная ёмкость (Coss) | - |
Описание
11A 2.6V 190mΩ@6V одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS