Низкий затвор заряд, траншейный-останов Technology, высокоскоростной импульсный IGBT
Артикул: C19724681
Part Number: MSG60T65HFC0
Производитель: MASPOWER
от 1.457400 ₽
В наличии: 30 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 2.453200 ₽ |
| 10 шт. | 2.014100 ₽ |
| 30 шт. | 1.739600 ₽ |
| 90 шт. | 1.457400 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 625W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 650V |
| Ток коллектора (Ic) | 120A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.9V@50A,15V |
| Заряд затвора (Qg) | 132nC@15V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 3V@250uA |
| Входная ёмкость (Cies) | 2.65nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 320pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 63pF |
| Время задержки включения Td(on) | 23ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 90ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 2.6mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 1.3mJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 54ns |
Описание
625W 120A 650V TO-247 одиночные IGBT-транзисторы RoHS