Кремний карбид (SiC) MOSFET

Кремний карбид (SiC) MOSFET

Артикул: C19673849 Part Number: NTH4L040N120M3S Производитель: onsemi
от 6.251400 ₽ В наличии: 1 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 8.728500 ₽
10 шт. 7.559900 ₽
30 шт. 6.848700 ₽
90 шт. 6.251400 ₽

Datasheet

Характеристики

Количество 1 N-channel
Тип N-Channel
Напряжение сток–исток 1.2kV
Непрерывный ток стока (Id) 54A
Рабочая температура -55℃~+175℃
Рассеиваемая мощность (Pd) 231W
Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) 4.4V
Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) 54mΩ
Заряд затвора (Qg) 75nC
Входная ёмкость (Ciss) 1.7nF
Проходная ёмкость (Crss при Vds) 7pF
Выходная ёмкость (Coss) 80pF

Описание

N-канальный 1.2kV 54A 231W монтаж в отверстия TO-247-4