PNP пластик-герметизация транзисторы, дарлингтона транзистор, средний мощность линейный импульсный применения

PNP пластик-герметизация транзисторы, дарлингтона транзистор, средний мощность линейный импульсный применения

Артикул: C19626425 Part Number: MJD127 Производитель: YFW
от 0.078500 ₽ В наличии: 2155 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
5 шт. 0.151300 ₽
50 шт. 0.117300 ₽
150 шт. 0.102800 ₽
500 шт. 0.084700 ₽
2500 шт. 0.083300 ₽
5000 шт. 0.078500 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип PNP
Напряжение коллектор–эмиттер VCEO 100V
Ток коллектора (Ic) 3A
Рассеиваемая мощность (Pd) 20W
Рабочая температура -
Коэффициент усиления по постоянному току 1000
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) 2V;4V
Ток отсечки коллектора 200uA
Напряжение эмиттер–база VEBO 5V
Напряжение насыщения база–эмиттер (VBE(sat)) -
Напряжение база–эмиттер во включённом состоянии (VBE(on)) 2.5V
Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) -

Описание

100V 1000 3A PNP TO-252 одиночные биполярные транзисторы RoHS