Эпитаксиальный планарный PNP транзистор

Эпитаксиальный планарный PNP транзистор

Артикул: C19270079 Part Number: KRA303-RTK/P Производитель: KEC
от 0.022400 ₽ В наличии: 5840 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
10 шт. 0.044200 ₽
100 шт. 0.034800 ₽
300 шт. 0.030100 ₽
3000 шт. 0.026600 ₽
6000 шт. 0.023800 ₽
9000 шт. 0.022400 ₽

Datasheet

Характеристики

Количество 1 PNP Pre-Biased
Тип PNP
Напряжение коллектор–эмиттер VCEO -
Ток коллектора (Ic) 100mA
Рассеиваемая мощность (Pd) 100mW
Рабочая температура -
Коэффициент усиления по постоянному току 120
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) 300mV
Ток отсечки коллектора -
Напряжение эмиттер–база VEBO -
Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) 3V@5mA,200mV
Максимальное входное напряжение (VI(off)) 1V@0.1mA,5V
Выходное напряжение (VO(on)) 300mV@10mA,0.5mA
Входной резистор 22kΩ
Соотношение сопротивлений резисторов 1
Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) 200MHz

Описание

120 100mA 1 PNP со встроенными резисторами смещения PNP USM одиночные биполярные транзисторы RoHS