Транзистор предварительное смещение 50V SOT-353
Артикул: C19268992
Part Number: UMG3N
Производитель: JSCJ
от 0.041300 ₽
В наличии: 2970 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 10 шт. | 0.066600 ₽ |
| 100 шт. | 0.055700 ₽ |
| 300 шт. | 0.050200 ₽ |
| 3000 шт. | 0.046200 ₽ |
| 6000 шт. | 0.042900 ₽ |
| 9000 шт. | 0.041300 ₽ |
Характеристики
| Количество | 2 NPN (Pre-Biased) |
| Тип | NPN |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 50V |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 150mW |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 100 |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | 5V |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | - |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | - |
| Выходное напряжение (VO(on)) | - |
| Входной резистор | 4.7kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | - |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 300mV |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | 250MHz |
| Ток отсечки коллектора | 0.5uA |
Описание
Со встроенными резисторами смещения биполярный транзистор (BJT) 50V 100mA 150mW поверхностный монтаж SOT-353