P-канальный обогащение режим мощность MOSFET
Артикул: C19268952
Part Number: JMTG050P03A
Производитель: Jiangsu JieJie Microelectronics
от 0.305500 ₽
В наличии: 30 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.528100 ₽ |
| 10 шт. | 0.433800 ₽ |
| 30 шт. | 0.393200 ₽ |
| 100 шт. | 0.341200 ₽ |
| 500 шт. | 0.318500 ₽ |
| 1000 шт. | 0.305500 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 P-Channel |
| Напряжение сток–исток | 30V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 80A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 57W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1.5V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 3.3mΩ@10V;5.1mΩ@4.5V |
| Заряд затвора (Qg) | 125nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 8.18nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 650pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 945pF |
Описание
30V 80A 1.5V 57W 1 P-канальный PDFN5x6-8L одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS