Двойной цифровой транзисторы(NPN+PNP)
Артикул: C19267729
Part Number: UMC4N
Производитель: JSCJ
от 0.036000 ₽
В наличии: 590 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 10 шт. | 0.060000 ₽ |
| 100 шт. | 0.049700 ₽ |
| 300 шт. | 0.044500 ₽ |
| 3000 шт. | 0.040700 ₽ |
| 6000 шт. | 0.037600 ₽ |
| 9000 шт. | 0.036000 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP Pre-Biased |
| Тип | NPN+PNP |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | - |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 150mW |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 68 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | - |
| Ток отсечки коллектора | - |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | - |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | 3V@2mA,0.3V |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | 500mV@100uA,5V |
| Выходное напряжение (VO(on)) | 300mV@10mA,0.5mA |
| Входной резистор | 61.1kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | 1 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | 250MHz |
Описание
68 100mA 1 NPN со встроенными резисторами смещения, 1 PNP со встроенными резисторами смещения NPN+PNP SOT-353 одиночные биполярные транзисторы RoHS