Полумостовой для мощность MOSFET/IGBT Drive
Артикул: C19193019
Part Number: U3115C
Производитель: UNI-SEMIC
от 0.094500 ₽
В наличии: 3395 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.190400 ₽ |
| 50 шт. | 0.149500 ₽ |
| 150 шт. | 0.132000 ₽ |
| 500 шт. | 0.110100 ₽ |
| 2500 шт. | 0.100400 ₽ |
| 4000 шт. | 0.094500 ₽ |
Характеристики
| Тип нагрузки | MOSFET;IGBT |
| Конфигурация управления | Half-Bridge |
| Время задержки высокого уровня | 150ns |
| Время задержки низкого уровня | 450ns |
| Время спада | 25ns |
| Время нарастания | 50ns |
| Выходной ток высокого уровня (IOH) | 1.2A |
| Напряжение питания | 4.5V~20V |
| Выходной ток низкого уровня (IOL) | 1A |
| Особенности | Dead-time control;Interleaved conduction protection;Built-in bootstrap diode |
| Ток покоя | 70uA |
| Входной логический уровень — низкий | - |
| Входной логический уровень — высокий | - |
Описание
4.5V~20V 1A 1.2A SOP-8 драйверы затворов RoHS