Tritech-MOS TM021G02S
Артикул: C19189191
Part Number: TM021G02S
Производитель: Tritech-MOS
от 0.042500 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 10 шт. | 0.044700 ₽ |
| 100 шт. | 0.043800 ₽ |
| 300 шт. | 0.043100 ₽ |
| 1000 шт. | 0.042500 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-Channel + 1 P-Channel |
| Тип | N-Channel + P-Channel |
| Напряжение сток–исток | 20V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 6A;5A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 2.5W;2.08W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 700mV |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 21mΩ@4.5V;52mΩ@4.5V |
| Заряд затвора (Qg) | 5.6nC;4.1nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 358pF;503pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 58.5pF;58pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 69.3pF;67pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±12V |
Описание
20V 700mV 1 N-канальный + 1 P-канальный N-канальный + P-канальный SOP-8L одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS